由于碳化硅具有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率、低熱膨脹系數(shù)以及高溫穩(wěn)定性，使其在大功率和高溫電子器件的應用中具有很重要的作用。因為高等級的商業(yè)化器件，需要碳化硅襯底具有無缺陷的表面及超潔凈的表面。CMP化學機械拋光后的晶圓清洗被認為是襯底片制備過程中，最重要的一步。許多化學機械拋光后的碳化硅晶片表面殘留硅膠體、化學物質(zhì)以及研磨劑。碳化硅制備面臨許多挑戰(zhàn)主要是高硬度和強化學惰性。潔凈、光滑、無缺陷的拋光片對于后續(xù)獲得高質(zhì)量的外延層是很重要的。拋光片最終清洗主要是清除拋光片表面所有的污染物，如微粒、有機物、無機物、金屬離子等雜質(zhì)。
碳化硅化學機械拋光結束后，拋光片表面的斷裂鍵力場很強，極易吸附拋光環(huán)境中的各種污染物，SIC拋光片表面主要沉積污染物一般有顆粒、金屬、有機物、濕氣分子和氧化膜。因為SIC拋光片的表面SI面會被有機物遮蓋，使氧化膜和相關的沾污難以被去除。
因此，超純水清洗是拋光片制造過程中不可缺少的環(huán)節(jié)。
半導體拋光片外延片超純水可選工藝流程：
工藝流程1：MMF+ACF+2B3T+RO+MB+2SMB
設備優(yōu)點
目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎上進行不同組合搭配衍生而來。現(xiàn)將他們的優(yōu)缺點分別列于右邊：
設備優(yōu)點
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第一種 采用離子交換樹脂
其優(yōu)點在于初投資少，占用的地方少，但缺點就是需要經(jīng)常進行離子再生，耗費大量酸堿，而且對環(huán)境有一定的破壞。
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第二種 采用反滲透作為預處理再配上離子交換
其特點為初次投資比采用離子交換樹脂方式要高，但離子再生周期相對要長，耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對環(huán)境還有一定破壞性。
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第三種 采用反滲透作預處理
再配上電去離子(EDI)裝置這是目前制取超純水最經(jīng)濟，最環(huán)保的工藝，不需要用酸堿進行再生便可連續(xù)制取超純水，對環(huán)境沒什么破壞性。
技術要求
半導體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水，基板晶圓片檢測清洗用水，中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗，后段檢測封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長用水，中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水，后段檢測封裝用水。同時，半導體行業(yè)對溶解氧、固體顆粒、二氧化硅、TOC的要求較高，達到PPB或者PPT級。
水質(zhì)標準
1、ASTM-D5127-2007《美國電子學和半導體工業(yè)用超純水標準》
2、歐盟電子級超純水標準
3、中國電子工業(yè)國家標準GB/T11446.1-1997
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