光伏新能源

光伏太陽能、動力電池生產(chǎn)對超純水用量極大，因此系統(tǒng)具有產(chǎn)水量大、出水質(zhì)量高、系統(tǒng)穩(wěn)定，水質(zhì)要求≥17MΩ*cm（25℃）

在晶體管、集成電路生產(chǎn)中，純水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設(shè)備的冷卻水，配制電鍍液等。集成電路生產(chǎn)過程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片，水質(zhì)的好壞與集成電路的產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)成品率關(guān)系很大。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會使PN結(jié)耐壓降低，Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會使N型半導(dǎo)體特性惡化，Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會使P型半導(dǎo)體特性惡化，水中細(xì)菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)镹型硅而導(dǎo)致器件性能變壞，水中的顆粒(包括細(xì)菌)如吸附在硅片表面，就會引起電路短路或特性變差。集成電路(DRAM)集成度16K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路(DRAM)集成度64K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路(DRAM)集成度256K的要求是電阻率≥17MΩ.cm，集成電路(DRAM)集成度1M的要求電阻率≥18MΩ.cm，集成電路(DRAM)集成度4M的要求電阻率≥18MΩ.cm，集成電路(DRAM)集成度16M的要求電阻率≥18.2MΩ.cm。針對多晶硅加工工藝需求和當(dāng)?shù)厮辞闆r，可采用工藝流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工藝流程，純水一號采用國內(nèi)先進(jìn)設(shè)計理念，確保系統(tǒng)設(shè)備產(chǎn)水達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。純水一號超純水設(shè)備流程圖

設(shè)備優(yōu)點

目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來?，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點分別列于右邊：

設(shè)備優(yōu)點

第一種 采用離子交換樹脂

其優(yōu)點在于初投資少，占用的地方少，但缺點就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生，耗費大量酸堿，而且對環(huán)境有一定的破壞。
第二種 采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換

其特點為初投次比采用離子交換樹脂方式要高，但離子再生周期相對要長，耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對環(huán)境還是有一定的破壞性。
第三種 采用反滲透作預(yù)處理
再配上電去離子(EDI)裝置

這是目前制取超純水最經(jīng)濟(jì)，最環(huán)保用來制取超純水的工藝，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水，對環(huán)境沒什么破壞性。其缺點在于初投資相對以上兩種方式稍貴一點。

技術(shù)要求

采用膜表面高分子嫁接技術(shù)，產(chǎn)水TOC在20PPB以下，更適用電子級超純水系統(tǒng)。高TOC脫除率、高抗污染能力、低TOC溶出率，TOC達(dá)標(biāo)沖洗時間短、先進(jìn)配套電源技術(shù)，能耗更低。

水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

1、ASTM-D5127-2007《美國電子學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)用超純水標(biāo)準(zhǔn)》

2、歐盟電子級超純水標(biāo)準(zhǔn)

3、中國電子工業(yè)國家標(biāo)準(zhǔn)

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光伏新能源

設(shè)備優(yōu)點

設(shè)備優(yōu)點

技術(shù)要求

水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)